关于元器件EOS损坏的原因和避免方法

关于元器件EOS损坏的原因和避免方法

最新推荐文章于 2025-10-27 13:55:35 发布

原创

最新推荐文章于 2025-10-27 13:55:35 发布

·

2.4k 阅读

·

20

·

6

·

CC 4.0 BY-SA版权

版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

文章标签：

#stm32

#单片机

#硬件工程

个人总结

专栏收录该内容

57 篇文章

订阅专栏

一、EOS损坏的定义

EOS（Electrical Over Stress，电气过应力）是指电子元件或系统因承受超出其设计范围的电压、电流或功率而导致的损坏或失效。其核心是电气过应力，表现为过压或过流产生大量热能，烧坏元器件内部。

二、EOS损坏的原因

电气因素：

电压或电流异常

电压超出元件的耐压极限，可能导致绝缘体被击穿。

电流超出元件的负荷能力，可能引起元件过热或烧坏。

外部环境因素：

雷击或电磁干扰可能通过线缆感应进入设备，造成EOS损坏。

热插拔、电源突波和焊接错误等操作失误也是常见原因。

设计与制造缺陷：

电路设计不合理，如高电压与低电压信号线过于接近，可能导致元件承受异常电压。缺乏过电保护装置或噪声滤波装置。

三、EOS损坏的影响

元件性能降低

元件参数发生偏移，出现功能问题。

元件损坏

元件被烧毁，电路板受损。

系统崩溃

整个系统无法正常运作。

四、EOS损坏的修复方法

分析排查

（1）确认失效现象，包括失效模式、位置和时间。

（2）检查电路设计，确保元件电压和电流在规定范围内。

（3）分析工作环境，排查外部干扰因素。

改进措施

（1）引入保护电路，如TVS二极管、熔断器等。

（2）优化电路设计，确保元件运行在安全区间。

（3）实施防静电措施，减少外界干扰。

加强测试与验证，确保系统具备抵抗EOS的能力。

五、EOS损坏的预防建议

设计阶段

在端口或电源加入适当的TVS防护元件。

确保PCB设计合理，避免高电压与低电压信号线过于接近。

生产与使用阶段

实施防静电措施，减少静电积累。

避免热插拔操作，确保设备接地良好。

定期进行ESD和浪涌测试，确保系统稳定性。